北方華創稱3D DRAM兩步刻蝕突破性進展 助長鑫存儲繞過EUV制裁

大陸半導體設備製造商北方華創，日前在IEEE期刊發表學術論文，聲稱在下一代記憶體3DDRAM製造工藝上取得重大技術突破，開發出一種創新的兩步循環刻蝕工藝，將為以長鑫存儲（CXMT）為代表的本土記憶體...

原文連結：UDN 兩岸