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長鑫DRAM產量大躍進 第五代技術平台裸晶數量提升50% 有助擴大市占

長鑫DRAM產量大躍進 第五代技術平台裸晶數量提升50% 有助擴大市占

長鑫DRAM產量大躍進 第五代技術平台裸晶數量提升50% 有助擴大市占

大陸DRAM廠長鑫科技昨(20)日在2026世界製造大會上宣布,第五代DRAM技術平台(G5平台)實現量產,核心突破在於每片晶圓產出裸晶(die)數量比第四代平台提升至少50%,並同步展出基於該平台...

原文連結:UDN 兩岸

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