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聯電矽光子鎖定12吋TFLN 突破「暴力升級」400G單通道難關

聯電矽光子鎖定12吋TFLN 突破「暴力升級」400G單通道難關

聯電矽光子鎖定12吋TFLN 突破「暴力升級」400G單通道難關

AI大型資料中心的互連流量攀升,光通訊模組將朝向1.6T與3.2T世代推進,晶圓代工二哥聯電近期全面推進矽光子技術,將鎖定薄膜鈮酸鋰(TFLN)作為突破瓶頸的核心技術,目前正逐步推向12吋產線建置。聯電企業技術研發副總經理丁文琪表示,傳統光電收發架構若試圖以「暴力升級(Brute-...

原文連結:DIGITIMES 科技

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