陸記憶體加速追趕 韓半導體協會：NAND差1年 DRAM差2年 HBM縮小至3年

大陸記憶體晶片業者與南韓龍頭廠商的技術落差正在快速收窄，部分產品已進入追趕階段。陸媒報導，南韓半導體產業協會首次量化相關差距，目前大陸NAND閃存約落後1年、DRAM約2年，HBM約3年，較過去約5...

原文連結：UDN 兩岸