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瑞銀:未來10年中國料難趕上ASML極紫外光微影技術

瑞銀:未來10年中國料難趕上ASML極紫外光微影技術

(中央社台北2日電)跨國投行瑞銀集團(UBS)分析師預估,中國半導體製造能力未來10年內可能仍難取得足夠進展,以開發出可替代荷蘭半導體設備廠艾司摩爾(ASML)尖端極紫外光(EUV)微影技術的可行方案。

原文連結:中央社 兩岸

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