台師大製出特殊堆疊結構雙層二硫化鉬　突破光電應用限制

（中央社記者陳至中台北2日電）台灣師範大學研究團隊，透過原子級堆疊工程，成功製出具有特殊「1H堆疊」結構的雙層二硫化鉬，突破雙層二維半導體長期面臨的光電應用限制，登上國際頂級期刊Nature（自然）。

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