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英特爾14A製程發力追趕台積電 缺陷密度下降速度為22奈米以來最佳

英特爾14A製程發力追趕台積電 缺陷密度下降速度為22奈米以來最佳

英特爾14A製程發力追趕台積電 缺陷密度下降速度為22奈米以來最佳

外電報導,英特爾財務長辛斯納(DavidZinsner)透露,次世代14A製程缺陷密度下降速度是22奈米以來最佳,外部客戶也從過去檢視技術數據,進一步詢問可取得的產能。業界認為,英特爾14A大發力,...

原文連結:UDN 產經

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